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英飛淩第五代高效率1200V CoolSiC肖特基二極管

作者:秋葵视频无限次数app下载技術 時間:2019-04-17 15:44

英飛淩第五代高效率高可靠性1200V CoolSiC肖特基二極管 
  英飛淩現已推出采用TO-247-2腳封裝的第五代1200V CoolSiC係列 肖特基二極管,可輕鬆替換當前常用的矽二極管。
 
  新的封裝將爬電距離和電氣間隙增至8.7mm,能夠在嚴重汙染環境中實現非凡安全性。結合矽IGBT或超結MOSFET,譬如,在三相係統中用於Vienna整流或PFC升壓,CoolSiC係列二極管相比於矽二極管,效率可提高1%或以上,PFC和DC-DC級的輸出功率可增加40%或以上。除開關損耗微乎其微之外——這是碳化矽肖特基二極管的標誌性特點——第五代CoolSiC係列二極管產品還具備出類拔萃的正向電壓(VF),VF受溫度影響的偏移小,並且擁有超強的浪湧電流能力。得益於此,該係列產品能夠以極具吸引力的價位,提供市場領先的效率和出色的係統可靠性。
 
  歸功於業內最低正向電壓(VF)和不易受溫度影響的特性,相對於市場上的碳化矽二極管,第五代CoolSiC係列二極管在整個負載範圍內具備最低靜態損耗,同時10A CoolSiC係列二極管具備與30A超快矽二極管相當的正向電壓,提供了矽二極管之外更具吸引力的選擇。與此同時,它的反向恢複電荷幾乎為零。
650V Si IGBT/Si SJ MOS and 1200V SiC diode 
650V Si IGBT/Si SJ MOS and 1200V SiC diode/ultrafast Si diode in a Vienna rectifier topology fsw = 48Hz
 
  歸功於業內最低正向電壓(VF)和不易受溫度影響的特性,相對於市場上的碳化矽二極管,第五代CoolSiC係列二極管在整個負載範圍內具備最低靜態損耗,同時10A CoolSiC係列二極管具備與30A超快矽二極管相當的正向電壓,提供了矽二極管之外更具吸引力的選擇。與此同時,它的反向恢複電荷幾乎為零。
CoolSiC肖特基二極管特性 
 
關鍵特性
1. 無反向恢複電流,無正向恢複電壓
2. 開關性能不受溫度影響 
3. 即使在較高溫度下,可保持較低正向電壓
4. 正向電壓參數分布集中
5. 超強的浪湧電流能力
6. 2腳封裝,爬電距離和電氣間隙為8.7mm
 
主要優勢
1. 即插即用,輕鬆取代矽二極管
2. 相比於矽二極管,係統效率有所提高
3. 可實現更高頻率/更大功率密度
4. 提升係統可靠性
 
CoolSiC肖特基二極管整理器應用 
Application example - 3-phase Vienna rectifier and DC-DC output rectifier
 
CoolSiC肖特基二極管PFC應用 
Application example -3-phase Power Factor Correction (PFC)
 
產品組合
CoolSiC肖特基二極管應用案例 
TO-247和TO-247-2封裝其正向電流最高可達40A,TO-220-2封裝為20A,DPAK封裝為10A。
 
  目標應用包括:太陽能逆變器、電動汽車直流充電係統、開關電源(SMPS)、不間斷電源(UPS)、儲能、電機驅動、電焊機和商用農用車(CAV)等。
CoolSiC肖特基二極管係列產品 
 
文章來源:英飛淩工業半導體
 
 
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